本文将从技术原理、核心优势、应用场景及落地实践等方面，对该技术进行系统性解析。

一、先进工艺节点的检测挑战与技术缺口

当前半导体制造技术正经历关键变革：鳍式场效应晶体管逐步被全环绕栅极（GAA）纳米带晶体管替代，中段制程（MOL）因多重图形化技术的应用，堆叠复杂度持续增加。这一变革导致致命缺陷多隐匿于 3D 结构内部，传统光学检测手段难以有效识别。

同时，先进工艺节点的缺陷呈现显著的产品特异性，集中分布于特定工艺 - 版图组合的 “热点区域”，此类缺陷由芯片设计固有的版图特征引发，成为影响良率的核心因素。

行业面临的核心矛盾在于：电子束电压衬度检测是识别电学缺陷的关键技术，但传统电子束检测采用光栅扫描模式，效率远低于光学检测，无法匹配大批量生产的需求。DirectScan 技术的出现，为破解这一矛盾提供了可行路径。

二、DirectScan 核心技术架构：PointScan 的创新逻辑

DirectScan 检测方案由eProbe 电子束检测工具、FIRE GDS 版图分析平台及Exensio 大数据智能分析平台三大核心组件构成，其技术突破的核心在于PointScan 扫描技术对传统电子束检测逻辑的重构，主要体现在以下三方面：

1

设计感知驱动的靶向检测

传统电子束检测采用无差别光栅扫描，需覆盖包括介质区域在内的全部区域，且无法识别被测目标的图形特征；PointScan 技术具备非接触式电学测试特性，可精准跳转至目标器件的关键位置（如焊盘、接触点），仅对有效检测区域实施电压衬度检测，完全规避介质区域的无效扫描，实现 “按需检测”。

2

检测效率的量级提升

通过 FIRE 平台的精细化版图分析，可精准筛选出需检测的 “关键区域”，大幅缩减检测范围：

后段制程金属 3 层通孔检测：仅需扫描总可检测面积的 2.5%

中段制程栅极 - 漏极短路检测：仅需扫描总接触点的 1%

栅极残筋检测：可规避 50%-75% 的介质区域，检测面积缩减至传统方案的 10% 以下

基于上述优化，PointScan 技术的检测吞吐量可达传统单束电子束检测设备的 20-100 倍，每小时可完成数十亿个被测器件的扫描。

3

设计感知学习与属性分析能力

DirectScan 与 FIRE 平台的深度整合，可实现跨多层版图的属性提取，包括触点类型（漏极 / 栅极）、晶体管阈值电压、极性、与扩散区隔离槽的距离等关键参数。

eProbe 输出的 KLARF格式数据含专属属性识别码，可与版图特征精准匹配，工程师可直接计算特定属性或属性组合对应的缺陷率，快速定位高风险晶体管类型与版图设计方案，为工艺优化提供数据支撑。

三、高难度场景的应用突破

PointScan 技术的低电荷沉积特性，使其在传统电子束检测难以覆盖的场景中实现突破：

背侧供电网络（BSPDN）晶圆检测

键合晶圆形成的绝缘层会阻碍电荷传导，导致传统电子束检测出现电荷累积、电子束偏折与失焦问题；PointScan 技术大幅降低单位面积电荷沉积量，有效缓解上述问题，已完成实际应用验证。

3D DRAM检测

3D DRAM 的结构特性同样易引发电荷累积，此前检测难度较高，DirectScan 技术的应用使该类器件的精准检测成为可能。

DRAM 阵列短路检测

独有的可控 “充电 - 检测” 功能，可在指定位置施加电荷后跳转至目标区域采集电压衬度信号，使特定岛状节点呈现高亮状态，清晰识别与浮空相邻触点的短路问题，该功能为传统光栅扫描技术所不具备。

四、行业落地实践与全流程应用

自 2022 年初起，eProbe 检测系统已在多家先进逻辑芯片制造工厂落地，目前两套设备投入大批量生产，第三套设备处于产能爬坡阶段，应用场景覆盖半导体制造全流程：

先进逻辑芯片制造

中段制程：GAA 栅极 - 漏极短路、栅极接触孔开路、栅极外延层 / 硅化物层开路检测

后段制程：M0 层、1X 层、2X 层系统性接触孔开路与金属布线短路检测

背侧供电网络：电源通孔、源极 / 漏极通孔接触孔开路与短路检测

随机逻辑电路漏电情况评估

先进 DRAM 制造（2024-2025 年）

外围电路：栅极 - 栅极残筋短路、栅极 - 漏极短路、字线 - 字线短路与开路检测及缺陷定位

存储阵列：基于可控 “充电 - 检测” 技术的存储节点短路检测

技术总结

在半导体制程向更精密 3D 架构演进的背景下，检测技术的创新成为保障良率的关键。DirectScan 方案通过 PointScan 靶向扫描技术、设计感知分析能力与产品特异性缺陷学习功能的融合，在保留电子束检测高灵敏度的基础上，实现了检测吞吐量的量级提升，同时破解了高难度场景的检测难题。

该技术不仅解决了先进工艺节点下缺陷“难识别、难检测” 的问题，更推动半导体检测从 “缺陷识别” 向 “工艺优化赋能” 升级，为下一代半导体制造提供了核心技术支撑和全新路径。

果然，面对以二队阵容为主参赛的塞尔维亚女排，中国女排即使没有派出以张常宁为首的最强阵容，但是由段放、刘晓彤、刘晏含、高意、杨涵玉、刁琳宇、林莉组成的先发阵容在开局阶段表现还算不错，有发球直接得分，也有拦网进账，并以8-4进入第一次技术暂停。只不过，随着比赛的深入，塞尔维亚女排的球员们在场上体现出了网上实力，她们不断通过发球破坏中国女排一传，或者造成中国队的一传直接失分，中国女排在多轮进攻不利之后，被塞尔维亚女排把比分反超到12-10，并且塞尔维亚队以16-13进入第二次技术暂停。在这个阶段中国女排也用栗垚换下段放，提升主攻位置上的一传和进攻能力。不过塞尔维亚女排还是保持着三四分左右的分差，直到局末，这一局中国女排虽然以22-25输掉了，但是由于姑娘们在局末拼发球拼的效果不错，刁琳宇和栗垚都有直接得分进账，这也为中国女排在第二局争取扭转局势带来了信心。

比赛的第二局，依然是塞尔维亚队率先打开局面，依靠发球直接得分取得2-0的领先，但是中国女排随后也还以颜色，双方从3平、4平打到5平、6平和7平，姑娘们明显在拦网方面有一定进步，几次拦死拉佐维奇的进攻。不过塞尔维亚女排的进攻点更为分散，扣球也更加坚决，8-7，她们领先中国女排1分进入本局第一次技术暂停。随后塞尔维亚女排的一轮强发球让中国女排连续进攻被拦或者出现进攻失误，双方分差被拉开到7-11，中国女排叫暂停调整，回来后杨涵玉的背飞加栗垚和杨涵玉的两次双人拦网，还有栗垚自己的四号位进攻连续得手，助中国女排12-12追平比分。可惜随后中国女排进攻连续被拦，或者小球处理不够过关，12-16再被拉开分差。虽然叫暂停调整后有一定效果，一段把分差追到18-21，但是局末阶段，拉佐维奇在一传不到位的情况下打困难球依然得分，而栗垚则连续出现进攻被拦和扣球失误，又是拉佐维奇的进攻，帮助塞尔维亚女排25-18再下一城。双方大比分来到2-0，塞尔维亚女排领先。

比赛的第三局，虽然中国女排已经是大比分0-2落后，但是这一局姑娘们还是重新抖擞精神，在进攻端增加了变化，拼发球也更加坚决，而且依然敢于在前排通过拦网给对方的攻手施压，刘晓彤的四号位斜线，还有王媛媛的背飞，再加上对手的发球下网，让中国女排8-6进入本局第一次技术暂停。尽管塞尔维亚女排连续用进攻缩小分差，不过中国女排再次做出人员调整，由段放换下刘晏含，场上形势有所好转，栗垚的进攻加杨涵玉的拦网，帮助中国女排再次扩大分差到12-9。虽然塞尔维亚女排的强攻效率依然不错，但中国女排在本局进攻提速和做出一些有技巧的应变之后，还是效果不错，16-14领先2分进入第二次技术暂停。杨涵玉的短平快得分，还是对手的发球失误，以及栗垚的二号位平打，再加上王媛媛的快抹让中国女排进一步拉大分差到21-17。中国女排挑战对手违例成功，25-20赢下第三局。从而把大比分扳成1-2。

第四局比赛中国女排借着第三局取胜的气势，开局不错，取得5-1的领先优势，不后随后塞尔维亚女排也依靠拦网和发球，以及中国女排的自身失误，将双方分差抹平，并追到7比7平局。刘晓彤的直线球得分，帮助中国女排8-7领先1分进入首次技术暂停。但随后塞尔维亚22号球员的跳飘不断造成中国女排一传直接失误，反而以10-8反超了比分。随后中国女排再做换人调整，刘晏含和姚迪替换栗垚和刁琳宇，但效果并不明显，至第二次技术暂停，中国女排已经是11-16被拉开5分分差。此时栗垚和刁琳宇回来，中国女排依靠韧性持续追分，杨涵玉的拦网还有刘晓彤的后排进攻帮助中国女排将分差迫近到20-21，逼迫对手叫暂停。不过，塞尔维亚女排拉佐维奇的强发球轮还是帮助她们在局末守住胜势，25-22再下一城，从而以3-1的大比分战胜中国女排。而中国女排也遭遇了四连败。

不过，虽然中国女排此役失利，主要还是输在关键分的把握，以及发球的稳定性和攻击性上，而刘晓彤和栗垚在此役的发挥还是不错的。刁琳宇的进攻组织也还算可圈可点。让我们在这里祝福中国女排，在输球当中总结得失，为后面打出更好的状态，全力备战东京奥运会继续努力。